有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202120460762.5

申请日：

2021-03-03

公开(公告)号：

CN215668280U

公开(公告)日：

2022-01-28

发明(设计)人：

吴新功吴义凯田京生

申请人：

申请人地址：

519031 广东省珠海市香洲区宝南路317号方源大厦四层401、402、403、404、405、407室

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B2810 C30B2916 B01D4612

代理机构：

深圳至诚化育知识产权代理事务所(普通合伙) 44728

代理人：

刘英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-28	授权	授权

共 50 条

[1]

有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置 [P].

练小正 ;

徐永宽 ;

程红娟 ;

于凯 ;

张政 ;

张颖武 ;

霍晓青 ;

李璐杰 ;

张志鹏 .

中国专利 :CN205856654U ,2017-01-04

[2]

一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置 [P].

徐永宽 ;

练小正 ;

于凯 ;

霍晓青 ;

张颖武 ;

张政 ;

程红娟 ;

李璐杰 ;

张志鹏 .

中国专利 :CN105970290B ,2016-09-28

[3]

一种生长氧化镓晶体的生长装置 [P].

周金杰 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

张胜男 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN119221093A ,2024-12-31

[4]

一种生长氧化镓晶体的生长装置 [P].

周金杰 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

张胜男 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN119221093B ,2025-04-22

[5]

一种氧化镓晶体的生长装置 [P].

周金杰 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

张胜男 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN119221094A ,2024-12-31

[6]

一种氧化镓晶体缺陷的表征方法及检测系统 [P].

田文明 ;

赵胜利 ;

孙逢柯 ;

冷静 ;

刘俊学 ;

倪文君 .

中国专利 :CN119574480A ,2025-03-07

[7]

一种检测晶体缺陷的装置 [P].

张玉 ;

曹建民 ;

赵龙 ;

宋旭宁 ;

董永见 .

中国专利 :CN203465253U ,2014-03-05

[8]

一种氧化镓晶体生长装置 [P].

王琤 ;

王芸霞 ;

刘进 .

中国专利 :CN222043410U ,2024-11-22

[9]

一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法 [P].

刘进 .

中国专利 :CN117626405A ,2024-03-01

[10]

一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN215976134U ,2022-03-08

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