有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620817453.8

申请日：

2016-08-01

公开(公告)号：

CN205856654U

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

练小正徐永宽程红娟于凯张政张颖武霍晓青李璐杰张志鹏

申请人：

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B1500

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

王凤英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置 [P].

徐永宽 ;

练小正 ;

于凯 ;

霍晓青 ;

张颖武 ;

张政 ;

程红娟 ;

李璐杰 ;

张志鹏 .

中国专利 :CN105970290B ,2016-09-28

[2]

有效抑制氧化镓晶体缺陷的生长装置 [P].

吴新功 ;

吴义凯 ;

田京生 .

中国专利 :CN215668280U ,2022-01-28

[3]

一种氧化镓晶体缺陷的表征方法及检测系统 [P].

田文明 ;

赵胜利 ;

孙逢柯 ;

冷静 ;

刘俊学 ;

倪文君 .

中国专利 :CN119574480A ,2025-03-07

[4]

一种生长氧化镓晶体的生长装置 [P].

周金杰 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

张胜男 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN119221093A ,2024-12-31

[5]

一种生长氧化镓晶体的生长装置 [P].

周金杰 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

张胜男 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN119221093B ,2025-04-22

[6]

一种氧化镓晶体生长装置 [P].

王琤 ;

王芸霞 ;

刘进 .

中国专利 :CN222043410U ,2024-11-22

[7]

一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法 [P].

刘进 .

中国专利 :CN117626405A ,2024-03-01

[8]

一种氧化镓晶体的生长装置 [P].

周金杰 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

张胜男 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN119221094A ,2024-12-31

[9]

一种氧化镓晶体的生长装置 [P].

贾松松 ;

赵俊竹 ;

张强 ;

李亚平 .

中国专利 :CN222834431U ,2025-05-06

[10]

一种抑制氧化镓挥发分解的热场结构、氧化镓晶体的生长装置和生长方法 [P].

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 .

中国专利 :CN119194584A ,2024-12-27

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