一种氧化镓晶体的生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411774369.8

申请日：

2024-12-05

公开(公告)号：

CN119221094A

公开(公告)日：

2024-12-31

发明(设计)人：

周金杰霍晓青王英民张胜男程红娟张嵩董增印李贺

申请人：

中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

C30B15/10

IPC分类号：

C30B15/14 C30B15/34 C30B29/16

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

张罗涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-31	公开	公开
2025-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/10申请日:20241205

共 50 条

[1]

一种生长氧化镓晶体的生长装置 [P].

周金杰 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

张胜男 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN119221093A ,2024-12-31

[2]

一种生长氧化镓晶体的生长装置 [P].

周金杰 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

张胜男 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

董增印 ;

李贺 .

中国专利 :CN119221093B ,2025-04-22

[3]

一种氧化镓晶体的生长装置 [P].

贾松松 ;

赵俊竹 ;

张强 ;

李亚平 .

中国专利 :CN222834431U ,2025-05-06

[4]

一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN215976134U ,2022-03-08

[5]

一种氧化镓晶体的生长控制方法及生长装置 [P].

齐红基 ;

黄浩天 ;

秦娟 .

中国专利 :CN119243324A ,2025-01-03

[6]

一种氧化镓单晶生长装置 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN113913924A ,2022-01-11

[7]

一种氧化镓晶体的多腔单晶生长装置 [P].

穆文祥 ;

陶绪堂 .

中国专利 :CN118668284A ,2024-09-20

[8]

一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN113957529A ,2022-01-21

[9]

一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法 [P].

齐红基 ;

陈端阳 ;

赛青林 .

中国专利 :CN113957518A ,2022-01-21

[10]

导模法生长氧化镓晶体的装置及氧化镓晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

邓淇元 ;

秦娟 .

中国专利 :CN120330874A ,2025-07-18

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