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导模法生长氧化镓晶体的装置及氧化镓晶体的生长方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510567459.8
申请日
:
2025-04-30
公开(公告)号
:
CN120330874A
公开(公告)日
:
2025-07-18
发明(设计)人
:
齐红基
邓淇元
秦娟
申请人
:
杭州富加镓业科技有限公司
申请人地址
:
311421 浙江省杭州市富阳区大源镇塘子畈街200号孵化楼A幢7楼701室
IPC主分类号
:
C30B15/34
IPC分类号
:
C30B29/16
C30B30/02
代理机构
:
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人
:
刘芙蓉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-08-05
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/34申请日:20250430
2025-07-18
公开
公开
共 50 条
[1]
氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚
[P].
张辉
论文数:
0
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0
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张辉
;
马可可
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马可可
;
夏宁
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夏宁
;
王嘉斌
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王嘉斌
;
刘莹莹
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0
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刘莹莹
;
杨德仁
论文数:
0
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0
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杨德仁
.
中国专利
:CN113774484A
,2021-12-10
[2]
垂直布里奇曼法生长氧化镓晶体的装置及氧化镓晶体的生长方法
[P].
黄东阳
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
黄东阳
;
朱晓波
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
朱晓波
;
陶德强
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
陶德强
;
齐红基
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
齐红基
.
中国专利
:CN119753809A
,2025-04-04
[3]
一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法
[P].
齐红基
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齐红基
;
陈端阳
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陈端阳
;
赛青林
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赛青林
.
中国专利
:CN113957518A
,2022-01-21
[4]
一种导模法生长氧化镓晶体的模具与生长方法
[P].
刘皓月
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
刘皓月
;
秦娟
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
秦娟
;
齐红基
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
齐红基
;
何林波
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机构:
杭州富加镓业科技有限公司
杭州富加镓业科技有限公司
何林波
.
中国专利
:CN118854435A
,2024-10-29
[5]
一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法
[P].
齐红基
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齐红基
;
赛青林
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赛青林
.
中国专利
:CN112877770A
,2021-06-01
[6]
一种基于导模法生长装置的氧化镓晶体生长方法
[P].
陈端阳
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陈端阳
;
齐红基
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齐红基
;
赛青林
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赛青林
.
中国专利
:CN113957529A
,2022-01-21
[7]
氧化镓晶体生长装置及生长方法
[P].
狄聚青
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狄聚青
;
朱刘
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朱刘
;
刘运连
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刘运连
;
薛帅
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薛帅
;
唐俊杰
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唐俊杰
.
中国专利
:CN112680780A
,2021-04-20
[8]
一种氧化镓晶体生长炉及氧化镓晶体生长方法
[P].
王琤
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
王琤
;
杨守智
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
杨守智
;
沈典宇
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
沈典宇
;
王芸霞
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机构:
杭州镓仁半导体有限公司
杭州镓仁半导体有限公司
王芸霞
.
中国专利
:CN117468092A
,2024-01-30
[9]
导模法生长片状氧化镓晶体的方法
[P].
尹继刚
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尹继刚
;
杭寅
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杭寅
;
张连翰
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张连翰
;
何明珠
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何明珠
.
中国专利
:CN103290471A
,2013-09-11
[10]
一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置
[P].
齐红基
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齐红基
;
赛青林
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0
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0
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0
赛青林
.
中国专利
:CN215976134U
,2022-03-08
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