氧化镓晶体生长装置及生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011443881.6

申请日：

2020-12-08

公开(公告)号：

CN112680780A

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

狄聚青朱刘刘运连薛帅唐俊杰

申请人：

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2916

代理机构：

北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387

代理人：

张向琨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20201208
2021-12-24	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 11/00 登记生效日:20211214 变更事项:申请人变更前权利人:广东先导先进材料股份有限公司变更后权利人:广东先导微电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区变更后权利人:511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
2021-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114059162B ,2022-02-18

[2]

氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P].

马可可 ;

夏宁 ;

杨守智 .

中国专利 :CN118957757A ,2024-11-15

[3]

一种氧化镓晶体生长炉及氧化镓晶体生长方法 [P].

王琤 ;

杨守智 ;

沈典宇 ;

王芸霞 .

中国专利 :CN117468092A ,2024-01-30

[4]

氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN113774484A ,2021-12-10

[5]

氧化镓薄膜晶体生长方法 [P].

杨安丽 ;

张新河 ;

高博 ;

张志新 ;

陈施施 ;

温正欣 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN111916341A ,2020-11-10

[6]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

赵青松 ;

牛晓东 ;

顾小英 ;

胡智向 .

中国专利 :CN112725890A ,2021-04-30

[7]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382B ,2025-11-14

[8]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN112746315A ,2021-05-04

[9]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382A ,2024-12-13

[10]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

堀冈佑吉 .

中国专利 :CN102187018A ,2011-09-14

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