氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210042869.7

申请日：

2022-01-14

公开(公告)号：

CN114059162B

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

张辉马可可夏宁王嘉斌刘莹莹杨德仁

申请人：

申请人地址：

310000 浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B1500 C30B1530 C30B1520

代理机构：

杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260

代理人：

姚宇吉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/16 申请日:20220114
2022-05-13	授权	授权
2022-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P].

马可可 ;

夏宁 ;

杨守智 .

中国专利 :CN118957757A ,2024-11-15

[2]

氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

刘运连 ;

薛帅 ;

唐俊杰 .

中国专利 :CN112680780A ,2021-04-20

[3]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

赵青松 ;

牛晓东 ;

顾小英 ;

胡智向 .

中国专利 :CN112725890A ,2021-04-30

[4]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382B ,2025-11-14

[5]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

藤川阳平 .

中国专利 :CN112746315A ,2021-05-04

[6]

晶体生长方法及晶体生长装置 [P].

郑燕青 ;

齐凡 ;

孔舒燕 ;

陈志平 ;

赵衡煜 .

中国专利 :CN119121382A ,2024-12-13

[7]

晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

堀冈佑吉 .

中国专利 :CN102187018A ,2011-09-14

[8]

一种氧化镓晶体生长炉及氧化镓晶体生长方法 [P].

王琤 ;

杨守智 ;

沈典宇 ;

王芸霞 .

中国专利 :CN117468092A ,2024-01-30

[9]

氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN113774484A ,2021-12-10

[10]

晶体生长装置和晶体生长方法 [P].

彭程 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN113652751B ,2021-11-16

← 1 2 3 4 5 →