氧化镓薄膜晶体生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010841304.6

申请日：

2020-08-19

公开(公告)号：

CN111916341A

公开(公告)日：

2020-11-10

发明(设计)人：

杨安丽张新河高博张志新陈施施温正欣其他发明人请求不公开姓名

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226

代理人：

刘敦枫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200819
2020-11-10	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114059162B ,2022-02-18

[2]

一种氧化镓晶体生长炉及氧化镓晶体生长方法 [P].

王琤 ;

杨守智 ;

沈典宇 ;

王芸霞 .

中国专利 :CN117468092A ,2024-01-30

[3]

氧化镓晶体生长方法及生长氧化镓晶体的组合坩埚 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN113774484A ,2021-12-10

[4]

氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P].

马可可 ;

夏宁 ;

杨守智 .

中国专利 :CN118957757A ,2024-11-15

[5]

氧化镓晶体生长装置及生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

刘运连 ;

薛帅 ;

唐俊杰 .

中国专利 :CN112680780A ,2021-04-20

[6]

氧化镓薄膜的生长方法 [P].

黄小辉 ;

徐春阳 ;

邢志刚 ;

林桂荣 .

中国专利 :CN119859790B ,2025-07-01

[7]

氧化镓薄膜的生长方法 [P].

黄小辉 ;

徐春阳 ;

邢志刚 ;

林桂荣 .

中国专利 :CN119859790A ,2025-04-22

[8]

晶体生长装置和晶体生长方法 [P].

彭程 ;

张洁 ;

廖弘基 ;

陈华荣 .

中国专利 :CN113652751B ,2021-11-16

[9]

一种拼接坩埚及氧化镓晶体生长方法 [P].

张辉 ;

马可可 ;

夏宁 ;

王嘉斌 ;

刘莹莹 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114108083A ,2022-03-01

[10]

一种减少氧化镓栾晶数量的晶体生长方法 [P].

胡开朋 .

中国专利 :CN117904707B ,2024-06-14

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