氧化镓薄膜的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510353280.2

申请日：

2025-03-25

公开(公告)号：

CN119859790B

公开(公告)日：

2025-07-01

发明(设计)人：

黄小辉徐春阳邢志刚林桂荣

申请人：

蓝河科技（绍兴）有限公司

申请人地址：

311800 浙江省绍兴市诸暨市陶朱街道万旺路8号1号楼1楼

IPC主分类号：

C23C16/40

IPC分类号：

C23C16/52

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/40申请日:20250325
2025-04-22	公开	公开
2025-07-01	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化镓薄膜的生长方法 [P].

黄小辉 ;

徐春阳 ;

邢志刚 ;

林桂荣 .

中国专利 :CN119859790A ,2025-04-22

[2]

氧化镓薄膜晶体生长方法 [P].

杨安丽 ;

张新河 ;

高博 ;

张志新 ;

陈施施 ;

温正欣 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN111916341A ,2020-11-10

[3]

一种ε相氧化镓薄膜生长方法 [P].

王钢 ;

陈喜富 ;

陈梓敏 ;

罗铁成 .

中国专利 :CN120082972A ,2025-06-03

[4]

基于GaAs衬底的氧化镓薄膜及其生长方法 [P].

冯倩 ;

李付国 ;

代波 ;

谢文林 ;

徐通 ;

郝跃 .

中国专利 :CN104962858A ,2015-10-07

[5]

基于MgO衬底的氧化镓薄膜及其生长方法 [P].

冯倩 ;

李付国 ;

代波 ;

谢文林 ;

徐通 ;

郝跃 .

中国专利 :CN105118853A ,2015-12-02

[6]

基于MgO衬底的多层氧化镓薄膜及其生长方法 [P].

冯倩 ;

李付国 ;

代波 ;

谢文林 ;

徐通 ;

郝跃 .

中国专利 :CN104952912A ,2015-09-30

[7]

一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法 [P].

程再军 ;

罗杭 ;

郭榕榕 ;

郑荣升 ;

杨宇霖 .

中国专利 :CN118645423A ,2024-09-13

[8]

一种基于转移键合的氧化镓外延生长方法 [P].

杨金枝 ;

王强 .

中国专利 :CN120824191A ,2025-10-21

[9]

氧化镓外延薄膜及生长氧化镓外延薄膜的方法 [P].

修向前 ;

许万里 ;

施佳诚 ;

李悦文 ;

谢自力 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN112420491A ,2021-02-26

[10]

一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法 [P].

董鑫 ;

张源涛 ;

李赜明 ;

张宝林 ;

焦腾 ;

李万程 .

中国专利 :CN110911270A ,2020-03-24

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