一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911263522.X

申请日：

2019-12-11

公开(公告)号：

CN110911270A

公开(公告)日：

2020-03-24

发明(设计)人：

董鑫张源涛李赜明张宝林焦腾李万程

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市市辖区前进大街2699号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-25	授权	授权
2020-03-24	公开	公开
2020-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20191211

共 50 条

[1]

一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法 [P].

罗伟科 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN111188090A ,2020-05-22

[2]

一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法 [P].

程再军 ;

罗杭 ;

郭榕榕 ;

郑荣升 ;

杨宇霖 .

中国专利 :CN118645423A ,2024-09-13

[3]

一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓薄膜 [P].

岳建英 ;

李培刚 ;

李胜鹏 .

中国专利 :CN121046937A ,2025-12-02

[4]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633B ,2024-01-16

[5]

氮化镓层及其同质外延生长方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112820633A ,2021-05-18

[6]

一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法 [P].

董鑫 ;

陈威 ;

焦腾 ;

张源涛 ;

张宝林 .

中国专利 :CN113097055B ,2021-07-09

[7]

一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

董鑫 ;

焦腾 ;

张源涛 ;

张宝林 ;

李赜明 .

中国专利 :CN111725072B ,2020-09-29

[8]

一种高质量κ相氧化镓外延薄膜的制备方法 [P].

叶建东 ;

龚义清 ;

郝景刚 ;

陈选虎 ;

任芳芳 ;

顾书林 .

中国专利 :CN110616456A ,2019-12-27

[9]

氧化镓薄膜及其异质外延生长方法与应用 [P].

张晓东 ;

马永健 ;

李军帅 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112490112A ,2021-03-12

[10]

镓极性面氮化镓材料及同质外延生长方法 [P].

薛军帅 ;

杨雪妍 ;

李蓝星 ;

姚佳佳 ;

孙志鹏 ;

张赫朋 ;

刘芳 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN112750689A ,2021-05-04

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