一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓薄膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511209588.6

申请日：

2025-08-27

公开(公告)号：

CN121046937A

公开(公告)日：

2025-12-02

发明(设计)人：

岳建英李培刚李胜鹏

申请人：

北京镓创半导体材料有限公司

申请人地址：

101113 北京市通州区光华路甲1号院23号楼4层101-421号

IPC主分类号：

C30B23/02

IPC分类号：

C30B29/16

代理机构：

北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276

代理人：

金卫文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 23/02申请日:20250827
2025-12-02	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化镓外延薄膜及生长氧化镓外延薄膜的方法 [P].

修向前 ;

许万里 ;

施佳诚 ;

李悦文 ;

谢自力 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN112420491A ,2021-02-26

[2]

一种高质量κ相氧化镓外延薄膜的制备方法 [P].

叶建东 ;

龚义清 ;

郝景刚 ;

陈选虎 ;

任芳芳 ;

顾书林 .

中国专利 :CN110616456A ,2019-12-27

[3]

一种氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓外延薄膜 [P].

孟标 ;

魏强民 ;

黄俊 ;

杨冰 .

中国专利 :CN118127630A ,2024-06-04

[4]

一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法 [P].

董鑫 ;

张源涛 ;

李赜明 ;

张宝林 ;

焦腾 ;

李万程 .

中国专利 :CN110911270A ,2020-03-24

[5]

n型锗掺杂的氧化镓外延薄膜制备方法及氧化镓外延片 [P].

王宏伟 ;

吕建华 ;

张晗 .

中国专利 :CN121237645A ,2025-12-30

[6]

氧化镓异质外延薄膜的制备方法 [P].

张海 ;

牛鼎元 ;

赵学平 ;

崔晓明 ;

杨俊彪 ;

刘全龙 .

中国专利 :CN118867059B ,2024-12-06

[7]

氧化镓异质外延薄膜的制备方法 [P].

张海 ;

牛鼎元 ;

赵学平 ;

崔晓明 ;

杨俊彪 ;

刘全龙 .

中国专利 :CN118867059A ,2024-10-29

[8]

一种电子浓度稳定的高质量氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

董鑫 ;

焦腾 ;

张源涛 ;

张宝林 ;

李赜明 .

中国专利 :CN111725072B ,2020-09-29

[9]

一种氧化镓薄膜外延方法 [P].

陈端阳 ;

齐红基 ;

杨珍妮 .

中国专利 :CN117976518A ,2024-05-03

[10]

一种氧化镓外延薄膜的制备方法 [P].

郭道友 ;

王顺利 ;

吴超 .

中国专利 :CN110867368A ,2020-03-06

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