一种氧化镓外延薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911123810.5

申请日：

2019-11-17

公开(公告)号：

CN110867368A

公开(公告)日：

2020-03-06

发明(设计)人：

郭道友王顺利吴超

申请人：

申请人地址：

321042 浙江省金华市金东区江东镇金武北街180号配套附属用房1楼

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3118 C30B2502 C30B2916

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-06	公开	公开
2020-03-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20191117

共 50 条

[1]

一种氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓外延薄膜 [P].

孟标 ;

魏强民 ;

黄俊 ;

杨冰 .

中国专利 :CN118127630A ,2024-06-04

[2]

n型锗掺杂的氧化镓外延薄膜制备方法及氧化镓外延片 [P].

王宏伟 ;

吕建华 ;

张晗 .

中国专利 :CN121237645A ,2025-12-30

[3]

氧化镓外延薄膜及生长氧化镓外延薄膜的方法 [P].

修向前 ;

许万里 ;

施佳诚 ;

李悦文 ;

谢自力 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN112420491A ,2021-02-26

[4]

一种氧化镓外延膜的制备方法及氧化镓外延膜 [P].

陈远鹏 ;

夏晓川 ;

柳阳 ;

申人升 ;

梁红伟 ;

杜国同 .

中国专利 :CN103489967A ,2014-01-01

[5]

一种碳化硅外延氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

袁书文 ;

李京波 ;

张梦龙 ;

孙一鸣 ;

张海平 ;

罗昆明 .

中国专利 :CN120400981B ,2025-09-09

[6]

一种碳化硅外延氧化镓薄膜及其制备方法 [P].

袁书文 ;

李京波 ;

张梦龙 ;

孙一鸣 ;

张海平 ;

罗昆明 .

中国专利 :CN120400981A ,2025-08-01

[7]

一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓薄膜 [P].

岳建英 ;

李培刚 ;

李胜鹏 .

中国专利 :CN121046937A ,2025-12-02

[8]

一种氧化镓外延薄膜及其制备方法与应用 [P].

齐红基 ;

王映霖 ;

陈端阳 ;

赛青林 .

中国专利 :CN118360667A ,2024-07-19

[9]

氧化镓异质外延薄膜的制备方法 [P].

张海 ;

牛鼎元 ;

赵学平 ;

崔晓明 ;

杨俊彪 ;

刘全龙 .

中国专利 :CN118867059A ,2024-10-29

[10]

氧化镓异质外延薄膜的制备方法 [P].

张海 ;

牛鼎元 ;

赵学平 ;

崔晓明 ;

杨俊彪 ;

刘全龙 .

中国专利 :CN118867059B ,2024-12-06

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