氧化镓异质外延薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411354861.X

申请日：

2024-09-27

公开(公告)号：

CN118867059A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

张海牛鼎元赵学平崔晓明杨俊彪刘全龙

申请人：

内蒙古工业大学

申请人地址：

010051 内蒙古自治区呼和浩特市新城区爱民街49号

IPC主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/032 H01L21/02

代理机构：

西安迪业欣知识产权代理事务所(普通合伙) 61278

代理人：

史冬梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

内蒙古自治区呼和浩特市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20240927
2024-10-29	公开	公开
2024-12-06	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化镓异质外延薄膜的制备方法 [P].

张海 ;

牛鼎元 ;

赵学平 ;

崔晓明 ;

杨俊彪 ;

刘全龙 .

中国专利 :CN118867059B ,2024-12-06

[2]

氧化镓外延薄膜及生长氧化镓外延薄膜的方法 [P].

修向前 ;

许万里 ;

施佳诚 ;

李悦文 ;

谢自力 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN112420491A ,2021-02-26

[3]

氧化镓晶体及其异质外延方法 [P].

张逸韵 ;

姚然 ;

杨华 ;

伊晓燕 ;

王军喜 .

中国专利 :CN118374877B ,2025-07-18

[4]

氧化镓晶体及其异质外延方法 [P].

张逸韵 ;

姚然 ;

杨华 ;

伊晓燕 ;

王军喜 .

中国专利 :CN118374877A ,2024-07-23

[5]

一种氧化镓异质外延衬底及其制备方法 [P].

杨世凌 ;

张逸韵 ;

姚然 ;

杨华 ;

伊晓燕 ;

王军喜 .

中国专利 :CN120199682A ,2025-06-24

[6]

n型锗掺杂的氧化镓外延薄膜制备方法及氧化镓外延片 [P].

王宏伟 ;

吕建华 ;

张晗 .

中国专利 :CN121237645A ,2025-12-30

[7]

氧化镓薄膜及其异质外延生长方法与应用 [P].

张晓东 ;

马永健 ;

李军帅 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112490112A ,2021-03-12

[8]

一种异质外延氧化镓晶体管及制备方法 [P].

韩根全 ;

王轶博 ;

於春晓 .

中国专利 :CN119133249A ,2024-12-13

[9]

一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法 [P].

程再军 ;

罗杭 ;

郭榕榕 ;

郑荣升 ;

杨宇霖 .

中国专利 :CN118645423A ,2024-09-13

[10]

一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓薄膜 [P].

岳建英 ;

李培刚 ;

李胜鹏 .

中国专利 :CN121046937A ,2025-12-02

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