氧化镓薄膜及其异质外延生长方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910858297.8

申请日：

2019-09-11

公开(公告)号：

CN112490112A

公开(公告)日：

2021-03-12

发明(设计)人：

张晓东马永健李军帅张宝顺

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2924

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王茹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-12	公开	公开
2021-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190911

共 50 条

[1]

一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法 [P].

程再军 ;

罗杭 ;

郭榕榕 ;

郑荣升 ;

杨宇霖 .

中国专利 :CN118645423A ,2024-09-13

[2]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195B ,2025-12-02

[3]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195A ,2025-10-17

[4]

纳米线异质外延生长方法 [P].

任晓敏 ;

黄辉 ;

郭经纬 ;

叶显 ;

王琦 ;

蔡世伟 ;

黄永清 .

中国专利 :CN102040191A ,2011-05-04

[5]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935B ,2025-09-23

[6]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935A ,2025-08-29

[7]

一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置 [P].

宁平凡 ;

李雄杰 ;

牛萍娟 ;

姜勇 .

中国专利 :CN117976521B ,2024-06-04

[8]

一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置 [P].

宁平凡 ;

李雄杰 ;

牛萍娟 ;

姜勇 .

中国专利 :CN117976521A ,2024-05-03

[9]

氧化镓外延薄膜及生长氧化镓外延薄膜的方法 [P].

修向前 ;

许万里 ;

施佳诚 ;

李悦文 ;

谢自力 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN112420491A ,2021-02-26

[10]

氧化镓的外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797194B ,2025-12-02

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