纳米线异质外延生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910209480.1

申请日：

2009-10-30

公开(公告)号：

CN102040191A

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

任晓敏黄辉郭经纬叶显王琦蔡世伟黄永清

申请人：

申请人地址：

100876 北京市海淀区西土城路10号

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

代理机构：

北京金之桥知识产权代理有限公司 11137

代理人：

朱黎光

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 申请日:20091030 授权公告日:20130612 终止日期:20181030
2011-05-04	公开	公开
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101142119958 IPC(主分类):B82B 3/00 专利申请号:2009102094801 申请日:20091030
2013-06-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺 [P].

任晓敏 ;

黄辉 ;

叶显 ;

吕吉贺 ;

蔡世伟 ;

黄永清 ;

王琦 .

中国专利 :CN101685774A ,2010-03-31

[2]

氧化镓薄膜及其异质外延生长方法与应用 [P].

张晓东 ;

马永健 ;

李军帅 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN112490112A ,2021-03-12

[3]

异质纳米线制备方法 [P].

黄辉 ;

任晓敏 ;

叶显 ;

郭经纬 ;

蔡世伟 ;

黄永清 ;

王琦 .

中国专利 :CN102050426A ,2011-05-11

[4]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935B ,2025-09-23

[5]

异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P].

朱江鹏 ;

徐俞 ;

徐建喜 ;

王亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN120568935A ,2025-08-29

[6]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195B ,2025-12-02

[7]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195A ,2025-10-17

[8]

金属纳米线定向生长方法 [P].

刘启明 ;

杨三军 .

中国专利 :CN107052361A ,2017-08-18

[9]

一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法 [P].

程再军 ;

罗杭 ;

郭榕榕 ;

郑荣升 ;

杨宇霖 .

中国专利 :CN118645423A ,2024-09-13

[10]

外延生长基板与半导体装置、外延生长方法 [P].

生田哲也 ;

日野大辅 ;

柴田智彦 .

中国专利 :CN102959682A ,2013-03-06

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