异质纳米线制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910237082.0

申请日：

2009-11-10

公开(公告)号：

CN102050426A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

黄辉任晓敏叶显郭经纬蔡世伟黄永清王琦

申请人：

申请人地址：

100876 北京市海淀区西土城路10号

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

代理机构：

北京金之桥知识产权代理有限公司 11137

代理人：

朱黎光

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	授权	授权
2019-11-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 3/00 申请日:20091110 授权公告日:20130612 终止日期:20181110
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101144314956 IPC(主分类):B82B 3/00 专利申请号:2009102370820 申请日:20091110
2011-05-11	公开	公开

共 50 条

[1]

纳米线异质外延生长方法 [P].

任晓敏 ;

黄辉 ;

郭经纬 ;

叶显 ;

王琦 ;

蔡世伟 ;

黄永清 .

中国专利 :CN102040191A ,2011-05-04

[2]

在纳米线侧壁生长量子点的复合纳异质结构的制备方法 [P].

张霞 ;

任晓敏 ;

颜鑫 ;

李军帅 ;

黄永清 .

中国专利 :CN103325663B ,2013-09-25

[3]

纳米线制备方法、组合物和制品 [P].

W.D.拉姆斯登 ;

D.R.惠特坎布 ;

D.C.林奇 .

中国专利 :CN103298575B ,2013-09-11

[4]

纳米线制备方法 [P].

杜海峰 ;

江瑞 ;

王宁 .

中国专利 :CN115448251A ,2022-12-09

[5]

一种铜银双金属纳米线及其制备方法 [P].

孙静 ;

王晓 ;

王冉冉 ;

高濂 ;

王焱 .

中国专利 :CN104607657A ,2015-05-13

[6]

纳米线交叉结构的制备方法 [P].

J·维泽尔斯 ;

W·E·福德 ;

安田章夫 .

中国专利 :CN100343161C ,2004-03-24

[7]

制备纳米线的方法 [P].

李常贤 ;

郑太远 ;

许廷娜 .

中国专利 :CN1696358A ,2005-11-16

[8]

一种氮化镓纳米线及其制备方法 [P].

杨蓉 ;

张营 ;

王琛 .

中国专利 :CN103387213A ,2013-11-13

[9]

金属纳米颗粒焊接银纳米线电磁屏蔽浆料的制备方法 [P].

卢健 ;

高彦峰 .

中国专利 :CN108774450A ,2018-11-09

[10]

金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法 [P].

吴春艳 ;

揭建胜 ;

王莉 ;

于永强 ;

胡治中 ;

张梓晗 ;

周国方 .

中国专利 :CN102244002A ,2011-11-16

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