金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110197871.3
申请日
2011-07-14
公开(公告)号
CN102244002A
公开(公告)日
2011-11-16
发明(设计)人
吴春艳 揭建胜 王莉 于永强 胡治中 张梓晗 周国方
申请人
申请人地址
230009 安徽省合肥市屯溪路193号
IPC主分类号
H01L21329
IPC分类号
代理机构
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101
代理人
何梅生
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体/超导体异质结纳米线交叉结构的制备方法 [P]. 
潘东 ;
廖敦渊 ;
钟青 ;
赵建华 .
中国专利 :CN118102853A ,2024-05-28
[2]
N-S结构半导体/超导体异质结纳米线及其制备方法 [P]. 
潘东 ;
师海彦 ;
赵建华 .
中国专利 :CN118434267A ,2024-08-02
[3]
使用金属/半导体纳米棒的异质结构的接触织物及其制备方法 [P]. 
李奎哲 ;
朴原一 .
中国专利 :CN100416872C ,2006-07-19
[4]
超导-半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件 [P]. 
何珂 ;
张浩 ;
冯硝 ;
姜钰莹 ;
苗文韬 ;
宋文玉 ;
曹霑 ;
杨帅 ;
李琳 ;
仝冰冰 ;
臧运祎 ;
耿祖汗 .
中国专利 :CN113838964A ,2021-12-24
[5]
一种半导体/金属异质结纳米线阵列材料的制备工艺 [P]. 
李文新 ;
周佩珩 .
中国专利 :CN110499489B ,2019-11-26
[6]
半导体/超导体异质结纳米线网络的选区外延制备方法 [P]. 
潘东 ;
贺凤悦 ;
赵建华 .
中国专利 :CN117947506A ,2024-04-30
[7]
一种半导体包裹金属纳米线的制备方法 [P]. 
蔡端俊 ;
王君 ;
王亚平 ;
赵阳 .
中国专利 :CN109742184B ,2019-05-10
[8]
一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法 [P]. 
潘东 ;
刘磊 ;
赵建华 .
中国专利 :CN111762755A ,2020-10-13
[9]
超长半导体纳米线结构及其制备方法 [P]. 
吴东平 ;
张世理 ;
朱志炜 ;
张卫 .
中国专利 :CN102169889A ,2011-08-31
[10]
制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P]. 
洪瑛 .
中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09