一种半导体包裹金属纳米线的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811511371.0

申请日：

2018-12-11

公开(公告)号：

CN109742184B

公开(公告)日：

2019-05-10

发明(设计)人：

蔡端俊王君王亚平赵阳

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市思明南路４２２号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L310224 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204

代理人：

张松亭;游学明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-16	授权	授权
2019-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20181211
2019-05-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种有机发光材料包裹金属纳米线的复合材料及其制备方法 [P].

蔡端俊 ;

赵阳 ;

陈瀚 ;

陈小红 .

中国专利 :CN112063380A ,2020-12-11

[2]

金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法 [P].

吴春艳 ;

揭建胜 ;

王莉 ;

于永强 ;

胡治中 ;

张梓晗 ;

周国方 .

中国专利 :CN102244002A ,2011-11-16

[3]

一种采用半导体纳米线作为探针精确移动纳米线的方法 [P].

胡俊青 ;

邹儒佳 ;

张振宇 ;

于利 ;

田启威 ;

吴江红 .

中国专利 :CN101949957B ,2011-01-19

[4]

一种半导体-磁性复合纳米线的制备方法 [P].

齐海港 .

中国专利 :CN105562703A ,2016-05-11

[5]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[6]

一种金属/合金纳米颗粒-半导体纳米线或纳米棒的复合纳米体系的制备方法 [P].

孙旭辉 ;

彭明发 ;

李述汤 .

中国专利 :CN102051689A ,2011-05-11

[7]

一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法 [P].

李侃 ;

邢英杰 ;

徐洪起 .

中国专利 :CN105679655A ,2016-06-15

[8]

一种半导体纳米线结构的制备方法 [P].

袁献武 .

中国专利 :CN106601611A ,2017-04-26

[9]

金属纳米线的制备方法 [P].

魏红 ;

高龙 ;

徐红星 .

中国专利 :CN110395687A ,2019-11-01

[10]

一种金属纳米线的制备方法 [P].

房育涛 ;

戴隆贵 ;

乐艮 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN106154744A ,2016-11-23

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