一种采用半导体纳米线作为探针精确移动纳米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010278161.9

申请日：

2010-09-10

公开(公告)号：

CN101949957B

公开(公告)日：

2011-01-19

发明(设计)人：

胡俊青邹儒佳张振宇于利田启威吴江红

申请人：

申请人地址：

201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号

IPC主分类号：

G01Q1004

IPC分类号：

代理机构：

上海泰能知识产权代理事务所 31233

代理人：

黄志达;谢文凯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-19	公开	公开
2016-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687160882 IPC(主分类):G01Q 10/04 专利号:ZL2010102781619 申请日:20100910 授权公告日:20130417 终止日期:20150910
2011-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101056896833 IPC(主分类):G01Q 10/04 专利申请号:2010102781619 申请日:20100910
2013-04-17	授权	授权

共 50 条

[1]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[2]

应变半导体纳米线 [P].

张慎明 ;

I·劳尔 ;

林崇勋 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN104733530B ,2015-06-24

[3]

半导体纳米线制造 [P].

M·B·伯格 ;

K·E·莫斯伦德 ;

H·E·里尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN105793956B ,2016-07-20

[4]

生长半导体纳米线的方法 [P].

查尔斯·M·利伯 ;

崔屹 ;

段镶锋 ;

黄昱 .

中国专利 :CN101798057A ,2010-08-11

[5]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111081534A ,2020-04-28

[6]

一种组装半导体纳米线的方法 [P].

肖忠党 ;

晏善成 ;

王海涛 .

中国专利 :CN101239700A ,2008-08-13

[7]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111128723A ,2020-05-08

[8]

一种半导体包裹金属纳米线的制备方法 [P].

蔡端俊 ;

王君 ;

王亚平 ;

赵阳 .

中国专利 :CN109742184B ,2019-05-10

[9]

制造半导体纳米线组以及包括纳米线组的电器件 [P].

埃里克·P.·A.·M.·巴克斯 ;

路易斯·F.·费内 ;

亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 .

中国专利 :CN101330099B ,2008-12-24

[10]

制造半导体纳米线组以及包括纳米线组的电器件 [P].

埃里克·P.·A.·M.·巴克斯 ;

路易斯·F.·费内 ;

亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 .

中国专利 :CN1898156A ,2007-01-17

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