应变半导体纳米线

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410708318.5

申请日：

2014-11-28

公开(公告)号：

CN104733530B

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

张慎明 I·劳尔林崇勋 J·W·斯雷特

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2102 H01L21336

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

贺月娇;于静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-15	授权	授权
2015-06-24	公开	公开
2015-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101617856360 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014107083185 申请日:20141128

共 50 条

[1]

半导体纳米线制造 [P].

M·B·伯格 ;

K·E·莫斯伦德 ;

H·E·里尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN105793956B ,2016-07-20

[2]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[3]

应变纳米线器件 [P].

B·W·格茨曼 ;

S·F·卡格 ;

H·E·里尔 .

中国专利 :CN103210492A ,2013-07-17

[4]

双层隔离半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102569410A ,2012-07-11

[5]

半导体纳米线晶体管 [P].

L·－E·沃纳森 ;

T·布里勒特 ;

E·林德 ;

L·萨姆尔森 .

中国专利 :CN101273459A ,2008-09-24

[6]

有刻面的半导体纳米线 [P].

程慷果 ;

李俊涛 ;

章贞 ;

朱煜 .

中国专利 :CN104051537B ,2014-09-17

[7]

生长半导体纳米线的方法 [P].

查尔斯·M·利伯 ;

崔屹 ;

段镶锋 ;

黄昱 .

中国专利 :CN101798057A ,2010-08-11

[8]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111081534A ,2020-04-28

[9]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111128723A ,2020-05-08

[10]

半导体元件、半导体纳米线元件及其制作方法 [P].

陈宏玮 ;

杨育佳 ;

李迪弘 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1801478A ,2006-07-12

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