应变纳米线器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180054975.7

申请日：

2011-11-02

公开(公告)号：

CN103210492A

公开(公告)日：

2013-07-17

发明(设计)人：

B·W·格茨曼 S·F·卡格 H·E·里尔

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2966

IPC分类号：

H01L2910 H01L2906 H01L29775 B82Y4000 B82Y1000

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

酆迅;张宁

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-23	授权	授权
2013-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101506924590 IPC(主分类):H01L 29/66 专利申请号:2011800549757 申请日:20111102
2013-07-17	公开	公开

共 50 条

[1]

应变半导体纳米线 [P].

张慎明 ;

I·劳尔 ;

林崇勋 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN104733530B ,2015-06-24

[2]

纳米线器件 [P].

马齐德·孟希 ;

赫尔格·韦曼 ;

达萨·L·德赫拉杰 ;

比约恩-奥韦·M·菲姆兰 ;

莱杜尔夫·维根 ;

戴维·巴里埃 .

中国专利 :CN114207778A ,2022-03-18

[3]

一维硫硒化镉半导体纳米线的制备方法、纳米线及器件 [P].

戴放 ;

沈吉 ;

刘彬 ;

常维静 ;

徐叔喜 ;

王仕鑫 .

中国专利 :CN112899647A ,2021-06-04

[4]

制造纳米线器件的方法 [P].

李鞠宁 ;

成又庆 ;

郑晳元 ;

金原孝 .

中国专利 :CN1935632B ,2007-03-28

[5]

应变硅纳米线PMOSFET的制备方法 [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102683212A ,2012-09-19

[6]

应变硅纳米线NMOSFET的制备方法 [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102683215B ,2012-09-19

[7]

应变纳米线CMOS器件和形成方法 [P].

彭成毅 ;

江宏礼 ;

杨玉麟 ;

叶致锴 ;

杨育佳 ;

刘继文 .

中国专利 :CN106571340B ,2017-04-19

[8]

纳米线发光器件及其制造方法 [P].

文元河 ;

金东云 ;

洪钟波 .

中国专利 :CN1921160A ,2007-02-28

[9]

替换栅极纳米线器件 [P].

查理德·肯尼斯·奥克斯兰德 .

中国专利 :CN104701376B ,2015-06-10

[10]

制造半导体纳米线组以及包括纳米线组的电器件 [P].

埃里克·P.·A.·M.·巴克斯 ;

路易斯·F.·费内 ;

亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 .

中国专利 :CN101330099B ,2008-12-24

← 1 2 3 4 5 →