应变纳米线CMOS器件和形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610621501.0

申请日：

2016-08-01

公开(公告)号：

CN106571340B

公开(公告)日：

2017-04-19

发明(设计)人：

彭成毅江宏礼杨玉麟叶致锴杨育佳刘继文

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-10	授权	授权
2017-04-19	公开	公开
2017-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101719980641 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2016106215010 申请日:20160801

共 50 条

[1]

纳米线器件及其形成方法 [P].

刘轶群 .

中国专利 :CN109888014A ,2019-06-14

[2]

应变纳米线器件 [P].

B·W·格茨曼 ;

S·F·卡格 ;

H·E·里尔 .

中国专利 :CN103210492A ,2013-07-17

[3]

CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN101197324A ,2008-06-11

[4]

CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100517652C ,2008-06-04

[5]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851A ,2025-01-24

[6]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851B ,2025-09-19

[7]

CMOS器件及其形成方法 [P].

胥传金 .

中国专利 :CN102646637A ,2012-08-22

[8]

纳米线半导体器件及其形成方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106856208B ,2017-06-16

[9]

混合三栅极和纳米线CMOS器件架构 [P].

C·E·韦伯 ;

R·米恩德鲁 ;

S·M·塞亚 .

中国专利 :CN107924875A ,2018-04-17

[10]

形成器件的方法和形成纳米线器件的方法 [P].

K·J·库恩 ;

S·金 ;

R·里奥斯 ;

S·M·赛亚 ;

M·D·贾尔斯 ;

A·卡佩尔拉尼 ;

T·拉克什特 ;

P·常 ;

W·瑞驰梅迪 .

中国专利 :CN114242764A ,2022-03-25

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