CMOS器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310843496.8

申请日：

2023-07-11

公开(公告)号：

CN119364851A

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

廖昱程蒋懿赵文礼冯道欢

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D62/10 H10D64/23 H10D64/27 H10D84/03

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	授权	授权
2025-01-24	公开	公开
2025-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/85申请日:20230711

共 50 条

[1]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851B ,2025-09-19

[2]

CMOS器件及其形成方法 [P].

胥传金 .

中国专利 :CN102646637A ,2012-08-22

[3]

CMOS及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103579112B ,2014-02-12

[4]

形成CMOS器件的方法 [P].

刘佳磊 ;

何永根 .

中国专利 :CN103545256A ,2014-01-29

[5]

CMOS器件应力膜的形成方法 [P].

张文广 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN101330052A ,2008-12-24

[6]

CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN101197324A ,2008-06-11

[7]

CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100517652C ,2008-06-04

[8]

CMOS器件的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106847752A ,2017-06-13

[9]

CMOS器件应力膜的形成方法 [P].

张海洋 ;

吴汉明 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101192573A ,2008-06-04

[10]

CMOS器件应力膜的形成方法 [P].

韩秋华 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN102376645A ,2012-03-14

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