形成CMOS器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210241586.1

申请日：

2012-07-12

公开(公告)号：

CN103545256A

公开(公告)日：

2014-01-29

发明(设计)人：

刘佳磊何永根

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-29	公开	公开
2016-01-06	授权	授权
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576157968 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2012102415861 申请日:20120712

共 50 条

[1]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851A ,2025-01-24

[2]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851B ,2025-09-19

[3]

半导体器件及形成CMOS器件应力膜的方法 [P].

叶好华 ;

王媛 ;

潘梓诚 .

中国专利 :CN102122638B ,2011-07-13

[4]

形成CMOS器件应力膜的方法 [P].

韩秋华 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN102054686A ,2011-05-11

[5]

CMOS器件应力膜的形成方法 [P].

张文广 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN101330052A ,2008-12-24

[6]

CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN101197324A ,2008-06-11

[7]

CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100517652C ,2008-06-04

[8]

形成CMOS器件的双金属栅结构的方法 [P].

G·D·维尔克 ;

S·R·萨默费尔特 .

中国专利 :CN1266277A ,2000-09-13

[9]

CMOS器件的制作方法 [P].

鲍宇 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102637642B ,2012-08-15

[10]

CMOS器件及其形成方法 [P].

胥传金 .

中国专利 :CN102646637A ,2012-08-22

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