CMOS器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110039628.9

申请日：

2011-02-17

公开(公告)号：

CN102646637A

公开(公告)日：

2012-08-22

发明(设计)人：

胥传金

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092 H01L2978 H01L2908

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101333911774 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2011100396289 申请日:20110217
2015-01-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101710144818 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2011100396289 申请公布日:20120822
2012-08-22	公开	公开

共 50 条

[1]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851A ,2025-01-24

[2]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851B ,2025-09-19

[3]

CMOS器件应力膜的形成方法 [P].

张文广 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN101330052A ,2008-12-24

[4]

CMOS器件及其形成方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN107993982A ,2018-05-04

[5]

CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN101197324A ,2008-06-11

[6]

CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100517652C ,2008-06-04

[7]

CMOS器件应力膜的形成方法 [P].

张海洋 ;

吴汉明 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101192573A ,2008-06-04

[8]

CMOS及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103579112B ,2014-02-12

[9]

CMOS器件及其形成方法 [P].

江国诚 ;

朱熙甯 ;

骆家駉 ;

张惠政 ;

苏俊钟 .

中国专利 :CN103426882B ,2013-12-04

[10]

CMOS器件及其形成方法 [P].

盖钰 ;

何德彦 ;

李刚 ;

王涛 .

中国专利 :CN119835995A ,2025-04-15

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