CMOS器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510894238.8

申请日：

2015-12-07

公开(公告)号：

CN106847752A

公开(公告)日：

2017-06-13

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-08	授权	授权
2017-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2015108942388 申请日:20151207 号牌文件序号:101731981455
2017-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851A ,2025-01-24

[2]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851B ,2025-09-19

[3]

CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107492522A ,2017-12-19

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106158645A ,2016-11-23

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106469652B ,2017-03-01

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107919324B ,2018-04-17

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

洪中山 .

中国专利 :CN106298894A ,2017-01-04

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107785265B ,2018-03-09

[10]

CMOS器件及其形成方法 [P].

江国诚 ;

朱熙甯 ;

骆家駉 ;

张惠政 ;

苏俊钟 .

中国专利 :CN103426882B ,2013-12-04

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