CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610414190.0

申请日：

2016-06-13

公开(公告)号：

CN107492522A

公开(公告)日：

2017-12-19

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21336 H01L2128 H01L2906 H01L29423

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-19	公开	公开
2018-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20160613
2020-04-07	授权	授权

共 50 条

[1]

CMOS器件的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106847752A ,2017-06-13

[2]

NMOS器件结构及NMOS器件结构的形成方法 [P].

汪维金 ;

刘嘉琦 ;

蒋小涵 ;

黄春妮 ;

谢静怡 .

中国专利 :CN120417435A ,2025-08-01

[3]

CMOS器件及其形成方法 [P].

盖钰 ;

何德彦 ;

李刚 ;

王涛 .

中国专利 :CN119835995A ,2025-04-15

[4]

CMOS器件测试结构及CMOS器件 [P].

周飞 .

中国专利 :CN205508821U ,2016-08-24

[5]

NMOS器件及其形成方法 [P].

甘正浩 ;

吴永坚 ;

郭锐 ;

廖金昌 .

中国专利 :CN102097320B ,2011-06-15

[6]

CMOS器件及其形成方法 [P].

刘张李 .

中国专利 :CN107993982A ,2018-05-04

[7]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851A ,2025-01-24

[8]

CMOS器件及其形成方法 [P].

廖昱程 ;

蒋懿 ;

赵文礼 ;

冯道欢 .

中国专利 :CN119364851B ,2025-09-19

[9]

CMOS器件及其形成方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN111785689A ,2020-10-16

[10]

硅栅NMOS器件、硅栅CMOS器件以及CMOS电路 [P].

于江勇 ;

李孟瑶 ;

吕宗森 ;

张燏 ;

赵磊 ;

吴迪 ;

苑宁 .

中国专利 :CN211350663U ,2020-08-25

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