纳米线半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510897267.X

申请日：

2015-12-08

公开(公告)号：

CN106856208B

公开(公告)日：

2017-06-16

发明(设计)人：

肖德元

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-16	公开	公开
2017-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101733559690 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201510897267X 申请日:20151208
2019-09-27	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

曹雪婷 ;

庞洪荣 ;

仇峰 ;

林宝伟 ;

单亚兵 ;

王恒宇 .

中国专利 :CN120264793A ,2025-07-04

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108666210A ,2018-10-16

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

G·科恩 ;

M·A·古罗恩 ;

A·格里尔 ;

L·希 .

中国专利 :CN103871894A ,2014-06-18

[4]

纳米线半导体器件 [P].

E·A·希岑 ;

E·P·A·M·巴克斯 ;

R·J·E·赫廷 ;

A·R·巴尔克宁德 .

中国专利 :CN1977385A ,2007-06-06

[5]

纳米线半导体器件及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN107204311A ,2017-09-26

[6]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111081534A ,2020-04-28

[7]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111128723A ,2020-05-08

[8]

纳米线半导体器件中内间隔的形成 [P].

K·沃斯汀 ;

L·维特斯 ;

H·梅尔腾斯 .

中国专利 :CN108231589A ,2018-06-29

[9]

半导体器件结构及其形成方法、半导体器件 [P].

黄海涛 ;

陈伟 ;

张永熙 ;

仲雪倩 ;

陈思哲 .

中国专利 :CN117995684A ,2024-05-07

[10]

纳米线器件及其形成方法 [P].

刘轶群 .

中国专利 :CN109888014A ,2019-06-14

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