半导体纳米线的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911360929.4

申请日：

2019-12-25

公开(公告)号：

CN111081534A

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

李艳丽伍强杨渝书

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2106

IPC分类号：

H01L21308 H01L21324 H01L21467 H01L21477 H01L2906 B82Y4000

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

曹廷廷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/06 申请日:20191225
2020-04-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111128723A ,2020-05-08

[2]

纳米线结构的形成方法和半导体结构 [P].

任飞 .

中国专利 :CN115472666A ,2022-12-13

[3]

生长半导体纳米线的方法 [P].

查尔斯·M·利伯 ;

崔屹 ;

段镶锋 ;

黄昱 .

中国专利 :CN101798057A ,2010-08-11

[4]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[5]

纳米线半导体器件及其形成方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106856208B ,2017-06-16

[6]

纳米线的形成方法 [P].

黄玉莲 ;

李泳达 ;

陈孟谷 .

中国专利 :CN106206246B ,2016-12-07

[7]

应变半导体纳米线 [P].

张慎明 ;

I·劳尔 ;

林崇勋 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN104733530B ,2015-06-24

[8]

半导体纳米线制造 [P].

M·B·伯格 ;

K·E·莫斯伦德 ;

H·E·里尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN105793956B ,2016-07-20

[9]

双层隔离半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102569410A ,2012-07-11

[10]

形成包含垂直纳米线的半导体结构的方法 [P].

T·巴尔道夫 ;

S·弗莱克豪斯基 ;

T·赫尔曼 ;

R·伊尔根 .

中国专利 :CN103943563A ,2014-07-23

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