形成包含垂直纳米线的半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410031958.7

申请日：

2014-01-23

公开(公告)号：

CN103943563A

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

T·巴尔道夫 S·弗莱克豪斯基 T·赫尔曼 R·伊尔根

申请人：

申请人地址：

英属开曼群岛大开曼岛

IPC主分类号：

H01L2177

IPC分类号：

代理机构：

北京戈程知识产权代理有限公司 11314

代理人：

程伟;王锦阳

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/77 登记生效日:20210301 变更事项:专利权人变更前权利人:格罗方德半导体公司变更后权利人:格芯(美国)集成电路科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:英属开曼群岛大开曼岛变更后权利人:美国加利福尼亚州
2017-08-01	授权	授权
2014-07-23	公开	公开
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584546683 IPC(主分类):H01L 21/77 专利申请号:2014100319587 申请日:20140123

共 50 条

[1]

形成具有纳米线的半导体结构的方法与该半导体结构 [P].

陈俊仁 ;

蔡滨祥 ;

温在宇 ;

林钰书 ;

杨进盛 .

中国专利 :CN106206293A ,2016-12-07

[2]

纳米线结构的形成方法和半导体结构 [P].

任飞 .

中国专利 :CN115472666A ,2022-12-13

[3]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111081534A ,2020-04-28

[4]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111128723A ,2020-05-08

[5]

具有纳米线的半导体结构 [P].

陈俊仁 ;

蔡滨祥 ;

温在宇 ;

林钰书 ;

杨进盛 .

中国专利 :CN111785775A ,2020-10-16

[6]

制造半导体微或纳米线的方法、包括所述微或纳米线的半导体结构和制造半导体结构的方法 [P].

阿梅利耶·迪赛涅 ;

菲利普·吉莱 ;

弗朗索瓦·马丁 .

中国专利 :CN104011883B ,2014-08-27

[7]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[8]

纳米线半导体器件中内间隔的形成 [P].

K·沃斯汀 ;

L·维特斯 ;

H·梅尔腾斯 .

中国专利 :CN108231589A ,2018-06-29

[9]

具有纳米线结构的半导体结构与制造方法 [P].

刘恩铨 ;

童宇诚 ;

杨智伟 .

中国专利 :CN105990413B ,2016-10-05

[10]

半导体结构及半导体结构的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN113314606B ,2025-02-21

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