具有纳米线结构的半导体结构与制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510063099.4

申请日：

2015-02-06

公开(公告)号：

CN105990413B

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

刘恩铨童宇诚杨智伟

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L29775

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335 B82Y1000

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-17	授权	授权
2018-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/775 申请日:20150206
2016-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

形成具有纳米线的半导体结构的方法与该半导体结构 [P].

陈俊仁 ;

蔡滨祥 ;

温在宇 ;

林钰书 ;

杨进盛 .

中国专利 :CN106206293A ,2016-12-07

[2]

具有纳米线的半导体结构 [P].

陈俊仁 ;

蔡滨祥 ;

温在宇 ;

林钰书 ;

杨进盛 .

中国专利 :CN111785775A ,2020-10-16

[3]

制造半导体微或纳米线的方法、包括所述微或纳米线的半导体结构和制造半导体结构的方法 [P].

阿梅利耶·迪赛涅 ;

菲利普·吉莱 ;

弗朗索瓦·马丁 .

中国专利 :CN104011883B ,2014-08-27

[4]

纳米线结构的形成方法和半导体结构 [P].

任飞 .

中国专利 :CN115472666A ,2022-12-13

[5]

具有纳米线的光电子半导体结构以及制造这种结构的方法 [P].

艾米丽·帕格瓦兹 ;

安-罗兰·贝文寇 ;

威廉·范登艾利 .

中国专利 :CN104203807A ,2014-12-10

[6]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[7]

半导体结构与制造半导体结构的方法 [P].

邱志威 ;

张峻玮 ;

陈维志 ;

黄哲彦 .

中国专利 :CN118213353A ,2024-06-18

[8]

半导体结构的制造方法与半导体结构 [P].

曾以志 .

中国专利 :CN115116964A ,2022-09-27

[9]

半导体结构与半导体结构的制造方法 [P].

陈桂顺 ;

陈孟伟 ;

刘家助 ;

黄建元 ;

林家庆 .

中国专利 :CN102332448B ,2012-01-25

[10]

半导体纳米线制造 [P].

M·B·伯格 ;

K·E·莫斯伦德 ;

H·E·里尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN105793956B ,2016-07-20

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