制造半导体微或纳米线的方法、包括所述微或纳米线的半导体结构和制造半导体结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280063612.4

申请日：

2012-12-19

公开(公告)号：

CN104011883B

公开(公告)日：

2014-08-27

发明(设计)人：

阿梅利耶·迪赛涅菲利普·吉莱弗朗索瓦·马丁

申请人：

申请人地址：

法国巴黎

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3312 H01L3318 H01L2102 H01L3340 H01L3308

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594946964 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2012800636124 申请日:20121219
2017-09-29	授权	授权
2014-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[2]

半导体纳米线制造 [P].

M·B·伯格 ;

K·E·莫斯伦德 ;

H·E·里尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN105793956B ,2016-07-20

[3]

具有纳米线结构的半导体结构与制造方法 [P].

刘恩铨 ;

童宇诚 ;

杨智伟 .

中国专利 :CN105990413B ,2016-10-05

[4]

具有纳米线的半导体结构 [P].

陈俊仁 ;

蔡滨祥 ;

温在宇 ;

林钰书 ;

杨进盛 .

中国专利 :CN111785775A ,2020-10-16

[5]

纳米线结构的形成方法和半导体结构 [P].

任飞 .

中国专利 :CN115472666A ,2022-12-13

[6]

形成具有纳米线的半导体结构的方法与该半导体结构 [P].

陈俊仁 ;

蔡滨祥 ;

温在宇 ;

林钰书 ;

杨进盛 .

中国专利 :CN106206293A ,2016-12-07

[7]

纳米线半导体器件结构及制造方法 [P].

戈本·多恩伯斯 ;

马克·范·达尔 .

中国专利 :CN106328521A ,2017-01-11

[8]

生长半导体纳米线的方法 [P].

查尔斯·M·利伯 ;

崔屹 ;

段镶锋 ;

黄昱 .

中国专利 :CN101798057A ,2010-08-11

[9]

半导体结构及用于制造所述半导体结构的方法 [P].

埃塞安·H.·坎农 ;

阿尔文·W.·斯庄 .

中国专利 :CN101075615A ,2007-11-21

[10]

硅纳米线、包括其的半导体器件和制造硅纳米线的方法 [P].

崔秉龙 ;

朴玩濬 ;

李银京 ;

玄在雄 .

中国专利 :CN1841659A ,2006-10-04

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