双层隔离半导体纳米线MOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210050781.6

申请日：

2012-02-28

公开(公告)号：

CN102569410A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

黄晓橹

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27092 H01L2906

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

陆花

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-11	授权	授权
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324735057 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012100507816 申请日:20120228
2012-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

双层隔离纵向堆叠式半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102569409B ,2012-07-11

[2]

双层隔离三维阵列式半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102544010A ,2012-07-04

[3]

双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102683412A ,2012-09-19

[4]

双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102683356B ,2012-09-19

[5]

双层隔离混合晶向积累型纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 ;

刘格致 .

中国专利 :CN102683333A ,2012-09-19

[6]

混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 ;

葛洪涛 .

中国专利 :CN102683413A ,2012-09-19

[7]

混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN102683414A ,2012-09-19

[8]

应变半导体纳米线 [P].

张慎明 ;

I·劳尔 ;

林崇勋 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN104733530B ,2015-06-24

[9]

半导体纳米线制造 [P].

M·B·伯格 ;

K·E·莫斯伦德 ;

H·E·里尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN105793956B ,2016-07-20

[10]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

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