混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210136029.3

申请日：

2012-05-04

公开(公告)号：

CN102683413A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

黄晓橹葛洪涛

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336 H01L27092 H01L218238

代理机构：

上海新天专利代理有限公司 31213

代理人：

王敏杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-19	公开	公开
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346523682 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012101360293 申请日:20120504
2015-07-29	授权	授权

共 50 条

[1]

混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN102683414A ,2012-09-19

[2]

双层隔离混合晶向积累型纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 ;

刘格致 .

中国专利 :CN102683333A ,2012-09-19

[3]

双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102683356B ,2012-09-19

[4]

双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102683412A ,2012-09-19

[5]

双层隔离半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102569410A ,2012-07-11

[6]

双层隔离纵向堆叠式半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102569409B ,2012-07-11

[7]

双层隔离三维阵列式半导体纳米线MOSFET [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN102544010A ,2012-07-04

[8]

应变半导体纳米线 [P].

张慎明 ;

I·劳尔 ;

林崇勋 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN104733530B ,2015-06-24

[9]

半导体纳米线制造 [P].

M·B·伯格 ;

K·E·莫斯伦德 ;

H·E·里尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN105793956B ,2016-07-20

[10]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

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