纳米线半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610150107.3

申请日：

2016-03-16

公开(公告)号：

CN107204311A

公开(公告)日：

2017-09-26

发明(设计)人：

肖德元

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区泥城镇云端路1412弄15号3层

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092 H01L2916 H01L29201 B82Y4000

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

金华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-26	公开	公开
2020-03-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请公布日:20170926
2017-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20160316

共 50 条

[1]

互补纳米线半导体器件及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106887409A ,2017-06-23

[2]

纳米线半导体器件 [P].

E·A·希岑 ;

E·P·A·M·巴克斯 ;

R·J·E·赫廷 ;

A·R·巴尔克宁德 .

中国专利 :CN1977385A ,2007-06-06

[3]

纳米线半导体器件结构及制造方法 [P].

戈本·多恩伯斯 ;

马克·范·达尔 .

中国专利 :CN106328521A ,2017-01-11

[4]

金属纳米线的制造方法与半导体器件及其制造方法 [P].

张海洋 ;

蒋鑫 ;

钟伯琛 .

中国专利 :CN110571186A ,2019-12-13

[5]

纳米线半导体器件及其形成方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106856208B ,2017-06-16

[6]

水平纳米线半导体器件 [P].

K·沃斯汀 ;

H·梅尔腾斯 .

中国专利 :CN108231590A ,2018-06-29

[7]

一种半导体器件纳米线及其制备方法 [P].

王桂磊 ;

亨利·H·阿达姆松 ;

孔真真 ;

李俊杰 ;

李俊峰 ;

殷华湘 ;

王文武 .

中国专利 :CN110896027A ,2020-03-20

[8]

互补纳米线半导体器件及其制备方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN107154428A ,2017-09-12

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

徐长春 .

中国专利 :CN106653751B ,2017-05-10

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

肖和平 ;

孔彦慧 ;

宋红亮 .

中国专利 :CN119677130A ,2025-03-21

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