一种半导体器件纳米线及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911236867.6

申请日：

2019-12-05

公开(公告)号：

CN110896027A

公开(公告)日：

2020-03-20

发明(设计)人：

王桂磊亨利·H·阿达姆松孔真真李俊杰李俊峰殷华湘王文武

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423 H01L2978 B82Y4000

代理机构：

北京知迪知识产权代理有限公司 11628

代理人：

王胜利

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-20	公开	公开
2020-04-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20191205
2023-01-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20200320

共 50 条

[1]

纳米线半导体器件及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN107204311A ,2017-09-26

[2]

互补纳米线半导体器件及其制备方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN107154428A ,2017-09-12

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

刘念 ;

蒲海军 ;

孟令成 .

中国专利 :CN108269730B ,2018-07-10

[4]

纳米线半导体器件 [P].

E·A·希岑 ;

E·P·A·M·巴克斯 ;

R·J·E·赫廷 ;

A·R·巴尔克宁德 .

中国专利 :CN1977385A ,2007-06-06

[5]

互补纳米线半导体器件及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106887409A ,2017-06-23

[6]

纳米线半导体器件及其形成方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106856208B ,2017-06-16

[7]

一种半导体衬底及其制备方法、半导体器件 [P].

张俊龙 ;

方潇功 ;

王琛 .

中国专利 :CN117594607A ,2024-02-23

[8]

水平纳米线半导体器件 [P].

K·沃斯汀 ;

H·梅尔腾斯 .

中国专利 :CN108231590A ,2018-06-29

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

王晓日 ;

冒义祥 .

中国专利 :CN107785256A ,2018-03-09

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111223860A ,2020-06-02

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