半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611252615.9

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN108269730B

公开(公告)日：

2018-07-10

发明(设计)人：

刘念蒲海军孟令成

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2314 H01L2702

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-02	授权	授权
2018-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20161230
2018-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

王晓日 ;

冒义祥 .

中国专利 :CN107785256A ,2018-03-09

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111223860A ,2020-06-02

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

陆勇 ;

吴公一 ;

沈宏坤 ;

庞秋虎 .

中国专利 :CN114267640A ,2022-04-01

[4]

半导体器件及其制备方法 [P].

吴公一 ;

陆勇 ;

辛欣 .

中国专利 :CN114373718A ,2022-04-19

[5]

半导体器件及其制备方法 [P].

安重镒 ;

李相遇 ;

金成基 ;

李亭亭 ;

项金娟 ;

蒋浩杰 ;

罗英 ;

丁云凌 .

中国专利 :CN114628333A ,2022-06-14

[6]

半导体器件及其制备方法 [P].

吴公一 ;

陆勇 ;

辛欣 .

中国专利 :CN114373718B ,2024-10-29

[7]

半导体器件及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN111223860B ,2024-05-21

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

高桦 .

中国专利 :CN113140635B ,2021-07-20

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

陆勇 ;

吴公一 ;

沈宏坤 ;

庞秋虎 .

中国专利 :CN114267640B ,2024-10-25

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

陈永 ;

董天化 ;

吴亮 ;

金岚 ;

包小燕 .

中国专利 :CN107527953B ,2017-12-29

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