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半导体器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010065847.3
申请日：
2020-01-20
公开(公告)号：
CN113140635B
公开(公告)日：
2021-07-20
发明(设计)人：
高桦
申请人：
申请人地址：
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
H01L2906
代理机构：
北京市磐华律师事务所 11336
代理人：
冯永贞
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-08-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200120 |
| 2021-07-20 | 公开 | 公开 |
| 2022-09-16 | 授权 | 授权 |