半导体器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011100761.6

申请日：

2020-10-15

公开(公告)号：

CN114373718B

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

吴公一陆勇辛欣

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法 [P].

吴公一 ;

陆勇 ;

辛欣 .

中国专利 :CN114373718A ,2022-04-19

[2]

半导体器件及其制备方法 [P].

李玉坤 .

中国专利 :CN114446886B ,2024-10-18

[3]

半导体器件及其制备方法 [P].

李玉坤 .

中国专利 :CN114446886A ,2022-05-06

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112864151A ,2021-05-28

[5]

半导体器件及其制备方法 [P].

孙超 ;

许文山 .

中国专利 :CN112331559A ,2021-02-05

[6]

半导体器件及其制备方法 [P].

李玉坤 ;

陈涛 .

中国专利 :CN114078764A ,2022-02-22

[7]

半导体器件及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111223860A ,2020-06-02

[8]

半导体器件及其制备方法 [P].

陆勇 ;

吴公一 ;

沈宏坤 ;

庞秋虎 .

中国专利 :CN114267640A ,2022-04-01

[9]

半导体器件及其制备方法 [P].

陈雪磊 ;

李晓明 ;

杨俊 .

中国专利 :CN107785312A ,2018-03-09

[10]

半导体器件及其制备方法 [P].

安重镒 ;

李相遇 ;

金成基 ;

李亭亭 ;

项金娟 ;

蒋浩杰 ;

罗英 ;

丁云凌 .

中国专利 :CN114628333A ,2022-06-14

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