金属纳米线的制造方法与半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810570146.8

申请日：

2018-06-05

公开(公告)号：

CN110571186A

公开(公告)日：

2019-12-13

发明(设计)人：

张海洋蒋鑫钟伯琛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23538 B82Y4000

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-13	公开	公开
2020-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20180605
2021-10-01	授权	授权

共 50 条

[1]

纳米线半导体器件及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN107204311A ,2017-09-26

[2]

互补纳米线半导体器件及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106887409A ,2017-06-23

[3]

纳米线半导体器件结构及制造方法 [P].

戈本·多恩伯斯 ;

马克·范·达尔 .

中国专利 :CN106328521A ,2017-01-11

[4]

金属纳米线的制造方法 [P].

原真尚 ;

山木繁 ;

内田博 .

中国专利 :CN108025367B ,2018-05-11

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

肖婷 ;

高天 ;

王同信 ;

张伟光 .

中国专利 :CN118630066A ,2024-09-10

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

殷华湘 ;

秦长亮 ;

徐秋霞 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN103579315B ,2014-02-12

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

舒丽丽 ;

蔡邦彦 ;

李资良 ;

李启弘 ;

李彦儒 ;

游明华 .

中国专利 :CN103035574A ,2013-04-10

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

卜伟海 .

中国专利 :CN103779218A ,2014-05-07

[9]

金属纳米线膜及其制造方法 [P].

李龙勋 ;

宋甲得 ;

河丞镐 .

中国专利 :CN103632752A ,2014-03-12

[10]

半导体器件制造方法与半导体器件 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN111106106B ,2025-02-25

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