一维硫硒化镉半导体纳米线的制备方法、纳米线及器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110054151.5

申请日：

2021-01-15

公开(公告)号：

CN112899647A

公开(公告)日：

2021-06-04

发明(设计)人：

戴放沈吉刘彬常维静徐叔喜王仕鑫

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市高新区龙山路89号

IPC主分类号：

C23C1630

IPC分类号：

C30B2948 C30B2962 C30B2502 B82Y4000 H01L310296 H01L310352 H01L3118

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

范晴;丁浩秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/30 申请日:20210115
2021-06-04	公开	公开

共 50 条

[1]

硫硒化镉锌纳米线的制备装置 [P].

童利民 ;

杨宗银 ;

刘大海 .

中国专利 :CN202054923U ,2011-11-30

[2]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[3]

一种硒化镉纳米线的制备方法 [P].

黄维 ;

钭建宁 ;

郭睿倩 .

中国专利 :CN101108725A ,2008-01-23

[4]

纳米线半导体器件 [P].

E·A·希岑 ;

E·P·A·M·巴克斯 ;

R·J·E·赫廷 ;

A·R·巴尔克宁德 .

中国专利 :CN1977385A ,2007-06-06

[5]

生长半导体纳米线的方法 [P].

查尔斯·M·利伯 ;

崔屹 ;

段镶锋 ;

黄昱 .

中国专利 :CN101798057A ,2010-08-11

[6]

一种制备硒化镉纳米线的方法 [P].

李培刚 ;

朱晖文 ;

雷鸣 ;

王顺利 ;

崔灿 .

中国专利 :CN102070129B ,2011-05-25

[7]

应变半导体纳米线 [P].

张慎明 ;

I·劳尔 ;

林崇勋 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN104733530B ,2015-06-24

[8]

半导体纳米线制造 [P].

M·B·伯格 ;

K·E·莫斯伦德 ;

H·E·里尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN105793956B ,2016-07-20

[9]

制造半导体纳米线组以及包括纳米线组的电器件 [P].

埃里克·P.·A.·M.·巴克斯 ;

路易斯·F.·费内 ;

亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 .

中国专利 :CN101330099B ,2008-12-24

[10]

制造半导体纳米线组以及包括纳米线组的电器件 [P].

埃里克·P.·A.·M.·巴克斯 ;

路易斯·F.·费内 ;

亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 .

中国专利 :CN1898156A ,2007-01-17

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