一种组装半导体纳米线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810019661.3

申请日：

2008-03-11

公开(公告)号：

CN101239700A

公开(公告)日：

2008-08-13

发明(设计)人：

肖忠党晏善成王海涛

申请人：

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

IPC主分类号：

B82B300

IPC分类号：

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

叶连生

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-13	公开	公开
2010-01-06	授权	授权
2014-05-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101582078952 IPC(主分类):B82B 3/00 专利号:ZL2008100196613 申请日:20080311 授权公告日:20100106 终止日期:20130311
2008-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[2]

生长半导体纳米线的方法 [P].

查尔斯·M·利伯 ;

崔屹 ;

段镶锋 ;

黄昱 .

中国专利 :CN101798057A ,2010-08-11

[3]

应变半导体纳米线 [P].

张慎明 ;

I·劳尔 ;

林崇勋 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN104733530B ,2015-06-24

[4]

半导体纳米线制造 [P].

M·B·伯格 ;

K·E·莫斯伦德 ;

H·E·里尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN105793956B ,2016-07-20

[5]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111081534A ,2020-04-28

[6]

半导体纳米线的形成方法 [P].

李艳丽 ;

伍强 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN111128723A ,2020-05-08

[7]

一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法 [P].

李侃 ;

邢英杰 ;

徐洪起 .

中国专利 :CN105679655A ,2016-06-15

[8]

一种半导体纳米线结构的制备方法 [P].

袁献武 .

中国专利 :CN106601611A ,2017-04-26

[9]

一种采用半导体纳米线作为探针精确移动纳米线的方法 [P].

胡俊青 ;

邹儒佳 ;

张振宇 ;

于利 ;

田启威 ;

吴江红 .

中国专利 :CN101949957B ,2011-01-19

[10]

一种半导体纳米线制备装置 [P].

鲁逸人 ;

陈鹏 ;

童银栋 ;

靳凤民 ;

郑学荣 ;

刘宪华 ;

刘翔 ;

张立红 ;

李莉 .

中国专利 :CN205803593U ,2016-12-14

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