超长半导体纳米线结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110064599.1

申请日：

2011-03-17

公开(公告)号：

CN102169889A

公开(公告)日：

2011-08-31

发明(设计)人：

吴东平张世理朱志炜张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260

代理人：

卢刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101565521987 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2011100645991 申请日:20110317
2011-08-31	公开	公开
2016-12-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101743470376 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2011100645991 申请公布日:20110831

共 50 条

[1]

一种半导体纳米线结构的制备方法 [P].

袁献武 .

中国专利 :CN106601611A ,2017-04-26

[2]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[3]

三维堆叠的半导体纳米线结构及其制备方法 [P].

刘强 ;

俞文杰 ;

任青华 ;

陈治西 ;

刘晨鹤 ;

赵兰天 ;

陈玲丽 ;

王曦 .

中国专利 :CN111435642B ,2020-07-21

[4]

应变半导体纳米线 [P].

张慎明 ;

I·劳尔 ;

林崇勋 ;

J·W·斯雷特 .

中国专利 :CN104733530B ,2015-06-24

[5]

半导体纳米线制造 [P].

M·B·伯格 ;

K·E·莫斯伦德 ;

H·E·里尔 ;

H·施密特 .

中国专利 :CN105793956B ,2016-07-20

[6]

半导体元件、半导体纳米线元件及其制作方法 [P].

陈宏玮 ;

杨育佳 ;

李迪弘 ;

杨富量 ;

胡正明 .

中国专利 :CN1801478A ,2006-07-12

[7]

半导体纳米线装置及其制造方法 [P].

R.梅汉德鲁 ;

思雅.S.廖 ;

S.M.策亚 .

中国专利 :CN108028274B ,2018-05-11

[8]

N-S结构半导体/超导体异质结纳米线及其制备方法 [P].

潘东 ;

师海彦 ;

赵建华 .

中国专利 :CN118434267A ,2024-08-02

[9]

生长半导体纳米线的方法 [P].

查尔斯·M·利伯 ;

崔屹 ;

段镶锋 ;

黄昱 .

中国专利 :CN101798057A ,2010-08-11

[10]

金属/半导体纳米线交叉结构异质结的制备方法 [P].

吴春艳 ;

揭建胜 ;

王莉 ;

于永强 ;

胡治中 ;

张梓晗 ;

周国方 .

中国专利 :CN102244002A ,2011-11-16

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