半导体/超导体异质结纳米线网络的选区外延制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410114963.8

申请日：

2024-01-26

公开(公告)号：

CN117947506A

公开(公告)日：

2024-04-30

发明(设计)人：

潘东贺凤悦赵建华

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C30B25/04

IPC分类号：

H10N60/01 C30B25/18

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

肖慧

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	公开	公开
2024-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/04申请日:20240126

共 50 条

[1]

一种半导体/超导体异质结纳米线网络的制备方法 [P].

潘东 ;

赵建华 .

中国专利 :CN111704105B ,2020-09-25

[2]

半导体/超导体异质结纳米线交叉结构的制备方法 [P].

潘东 ;

廖敦渊 ;

钟青 ;

赵建华 .

中国专利 :CN118102853A ,2024-05-28

[3]

一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法 [P].

潘东 ;

刘磊 ;

赵建华 .

中国专利 :CN111762755A ,2020-10-13

[4]

N-S结构半导体/超导体异质结纳米线及其制备方法 [P].

潘东 ;

师海彦 ;

赵建华 .

中国专利 :CN118434267A ,2024-08-02

[5]

耦合到超导体的半导体纳米线的制造方法 [P].

P·阿塞夫 ;

P·卡洛夫-高纳克 .

美国专利 :CN114175288B ,2025-09-12

[6]

耦合到超导体的半导体纳米线的制造方法 [P].

P·阿塞夫 ;

P·卡洛夫-高纳克 .

中国专利 :CN114175288A ,2022-03-11

[7]

超导-半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件 [P].

何珂 ;

张浩 ;

冯硝 ;

姜钰莹 ;

苗文韬 ;

宋文玉 ;

曹霑 ;

杨帅 ;

李琳 ;

仝冰冰 ;

臧运祎 ;

耿祖汗 .

中国专利 :CN113838964A ,2021-12-24

[8]

半导体-超导体异质结构 [P].

D·I·皮库林 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

G·W·温克勒 ;

S·V·格罗尼恩 ;

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

M·J·曼弗拉 ;

A·安提波夫 ;

R·M·卢钦 .

美国专利 :CN114375504B ,2025-11-04

[9]

半导体-超导体异质结构 [P].

D·I·皮库林 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

G·W·温克勒 ;

S·V·格罗尼恩 ;

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

M·J·曼弗拉 ;

A·安提波夫 ;

R·M·卢钦 .

中国专利 :CN114375504A ,2022-04-19

[10]

用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构 [P].

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫尔 ;

S·V·格罗宁 ;

M·J·曼弗拉 .

中国专利 :CN114846633A ,2022-08-02

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