用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构

被引：0

申请号：

CN202080089201.7

申请日：

2020-11-24

公开(公告)号：

CN114846633A

公开(公告)日：

2022-08-02

发明(设计)人：

G·C·加德纳 R·L·卡拉赫尔 S·V·格罗宁 M·J·曼弗拉

申请人：

申请人地址：

美国华盛顿州

IPC主分类号：

H01L3922

IPC分类号：

H01L3924

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

董莘

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-02	公开	公开
2022-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 39/22 申请日:20201124

共 50 条

[1]

半导体-超导体异质结构 [P].

D·I·皮库林 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

G·W·温克勒 ;

S·V·格罗尼恩 ;

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

M·J·曼弗拉 ;

A·安提波夫 ;

R·M·卢钦 .

美国专利 :CN114375504B ,2025-11-04

[2]

半导体-超导体异质结构 [P].

D·I·皮库林 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

G·W·温克勒 ;

S·V·格罗尼恩 ;

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

M·J·曼弗拉 ;

A·安提波夫 ;

R·M·卢钦 .

中国专利 :CN114375504A ,2022-04-19

[3]

半导体超导体混合器件 [P].

G·W·温克勒 ;

R·M·卢钦 ;

L·P·考恩霍文 ;

F·卡里米 .

中国专利 :CN114600262A ,2022-06-07

[4]

半导体超导体混合器件 [P].

G·W·温克勒 ;

R·M·卢钦 ;

L·P·考恩霍文 ;

F·卡里米 .

美国专利 :CN114600262B ,2025-02-21

[5]

简·埃德加·埃维茨 ;

巴特洛米·安德泽·格罗瓦克基 .

中国专利 :CN1042023A ,1990-05-09

[6]

超导体-半导体制造 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 .

中国专利 :CN110741486A ,2020-01-31

[7]

超导体-半导体制造 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 .

美国专利 :CN110741486B ,2024-02-23

[8]

超导体电缆 [P].

阿诺.阿莱斯 ;

弗兰克.施米特 .

中国专利 :CN1855317B ,2006-11-01

[9]

高温超导体 [P].

奥利弗·埃布 .

中国专利 :CN1036100A ,1989-10-04

[10]

高温超导体 [P].

房毅 .

中国专利 :CN108155286A ,2018-06-12

← 1 2 3 4 5 →