超导体-半导体制造

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780092102.2

申请日：

2017-11-30

公开(公告)号：

CN110741486B

公开(公告)日：

2024-02-23

发明(设计)人：

P·克罗格斯拉普·杰普森

申请人：

微软技术许可有限责任公司

申请人地址：

美国华盛顿州

IPC主分类号：

H10N60/01

IPC分类号：

H10N69/00 H10N60/12 G06N10/20 B82Y10/00

代理机构：

北京世辉律师事务所 16093

代理人：

王俊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-23	授权	授权

共 50 条

[1]

超导体-半导体制造 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 .

中国专利 :CN110741486A ,2020-01-31

[2]

超导体制造方法 [P].

太刀川恭治 ;

真保幸雄 ;

小野守章 ;

小菅茂义 ;

桦泽真事 .

中国专利 :CN1045887A ,1990-10-03

[3]

超导体电缆 [P].

阿诺.阿莱斯 ;

弗兰克.施米特 .

中国专利 :CN1855317B ,2006-11-01

[4]

超导体制件 [P].

太刀川治 ;

真保幸雄 ;

松田穰 ;

桦泽真事 ;

小管茂义 ;

渡辺之 .

中国专利 :CN1045483A ,1990-09-19

[5]

用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构 [P].

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫尔 ;

S·V·格罗宁 ;

M·J·曼弗拉 .

中国专利 :CN114846633A ,2022-08-02

[6]

半导体-超导体异质结构 [P].

D·I·皮库林 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

G·W·温克勒 ;

S·V·格罗尼恩 ;

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

M·J·曼弗拉 ;

A·安提波夫 ;

R·M·卢钦 .

美国专利 :CN114375504B ,2025-11-04

[7]

半导体-超导体异质结构 [P].

D·I·皮库林 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

G·W·温克勒 ;

S·V·格罗尼恩 ;

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

M·J·曼弗拉 ;

A·安提波夫 ;

R·M·卢钦 .

中国专利 :CN114375504A ,2022-04-19

[8]

半导体-超导体混合器件及其制造 [P].

G·C·加德纳 ;

A·C·C·德拉克曼 ;

C·M·马库斯 ;

M·J·曼弗拉 .

中国专利 :CN114788026A ,2022-07-22

[9]

简·埃德加·埃维茨 ;

巴特洛米·安德泽·格罗瓦克基 .

中国专利 :CN1042023A ,1990-05-09

[10]

半导体超导体混合器件 [P].

G·W·温克勒 ;

R·M·卢钦 ;

L·P·考恩霍文 ;

F·卡里米 .

中国专利 :CN114600262A ,2022-06-07

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