半导体-超导体混合器件及其制造

被引：0

申请号：

CN202080084194.1

申请日：

2020-12-04

公开(公告)号：

CN114788026A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

G·C·加德纳 A·C·C·德拉克曼 C·M·马库斯 M·J·曼弗拉

申请人：

申请人地址：

美国华盛顿州

IPC主分类号：

H01L3924

IPC分类号：

H01L3922

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 39/24 申请日:20201204
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体超导体混合器件 [P].

G·W·温克勒 ;

R·M·卢钦 ;

L·P·考恩霍文 ;

F·卡里米 .

中国专利 :CN114600262A ,2022-06-07

[2]

半导体超导体混合器件 [P].

G·W·温克勒 ;

R·M·卢钦 ;

L·P·考恩霍文 ;

F·卡里米 .

美国专利 :CN114600262B ,2025-02-21

[3]

侧栅半导体-超导体混合器件 [P].

M·金特罗·佩雷斯 ;

D·J·范沃尔科姆 ;

V·K·钦尼 ;

A·辛格 .

中国专利 :CN115428156A ,2022-12-02

[4]

半导体-超导体混合器件、其制造和用途 [P].

G·W·温克勒 ;

R·M·卢钦 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

S·V·格罗尼恩 ;

M·J·曼弗拉 ;

F·卡里米 .

中国专利 :CN114600261A ,2022-06-07

[5]

包括电极阵列的半导体-超导体混合器件 [P].

C·M·马库斯 ;

A·S·普希尔 ;

A·达尼连科 .

美国专利 :CN117730641A ,2024-03-19

[6]

具有侧面结的半导体-超导体混合器件 [P].

G·W·温克勒 ;

J·K·甘布勒四世 ;

K·A·范胡格达伦 ;

F·卡里米 ;

R·M·鲁钦 ;

C·M·马库斯 ;

S·瓦伊缇克纳斯 ;

A·S·普希尔 ;

A·达尼连科 ;

D·萨博尼斯 ;

E·C·奥法雷尔 .

美国专利 :CN117859419A ,2024-04-09

[7]

半导体-铁磁绝缘体-超导体混合器件 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

S·瓦伊缇克纳斯 ;

C·M·马库斯 .

美国专利 :CN114747014B ,2024-10-29

[8]

半导体-铁磁绝缘体-超导体混合器件 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

S·瓦伊缇克纳斯 ;

C·M·马库斯 .

中国专利 :CN114747014A ,2022-07-12

[9]

超导体-半导体制造 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 .

中国专利 :CN110741486A ,2020-01-31

[10]

超导体-半导体制造 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 .

美国专利 :CN110741486B ,2024-02-23

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