具有侧面结的半导体-超导体混合器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180101297.9

申请日：

2021-08-06

公开(公告)号：

CN117859419A

公开(公告)日：

2024-04-09

发明(设计)人：

G·W·温克勒 J·K·甘布勒四世 K·A·范胡格达伦 F·卡里米 R·M·鲁钦 C·M·马库斯 S·瓦伊缇克纳斯 A·S·普希尔 A·达尼连科 D·萨博尼斯 E·C·奥法雷尔

申请人：

微软技术许可有限责任公司

申请人地址：

美国华盛顿州

IPC主分类号：

H10N69/00

IPC分类号：

G06N10/40 H10N60/12

代理机构：

北京世辉律师事务所 16093

代理人：

吕世磊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 69/00申请日:20210806
2024-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体超导体混合器件 [P].

G·W·温克勒 ;

R·M·卢钦 ;

L·P·考恩霍文 ;

F·卡里米 .

中国专利 :CN114600262A ,2022-06-07

[2]

半导体超导体混合器件 [P].

G·W·温克勒 ;

R·M·卢钦 ;

L·P·考恩霍文 ;

F·卡里米 .

美国专利 :CN114600262B ,2025-02-21

[3]

半导体-超导体混合器件及其制造 [P].

G·C·加德纳 ;

A·C·C·德拉克曼 ;

C·M·马库斯 ;

M·J·曼弗拉 .

中国专利 :CN114788026A ,2022-07-22

[4]

包括电极阵列的半导体-超导体混合器件 [P].

C·M·马库斯 ;

A·S·普希尔 ;

A·达尼连科 .

美国专利 :CN117730641A ,2024-03-19

[5]

侧栅半导体-超导体混合器件 [P].

M·金特罗·佩雷斯 ;

D·J·范沃尔科姆 ;

V·K·钦尼 ;

A·辛格 .

中国专利 :CN115428156A ,2022-12-02

[6]

半导体-铁磁绝缘体-超导体混合器件 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

S·瓦伊缇克纳斯 ;

C·M·马库斯 .

美国专利 :CN114747014B ,2024-10-29

[7]

半导体-铁磁绝缘体-超导体混合器件 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

S·瓦伊缇克纳斯 ;

C·M·马库斯 .

中国专利 :CN114747014A ,2022-07-12

[8]

半导体-超导体混合器件、其制造和用途 [P].

G·W·温克勒 ;

R·M·卢钦 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

S·V·格罗尼恩 ;

M·J·曼弗拉 ;

F·卡里米 .

中国专利 :CN114600261A ,2022-06-07

[9]

用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构 [P].

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫尔 ;

S·V·格罗宁 ;

M·J·曼弗拉 .

中国专利 :CN114846633A ,2022-08-02

[10]

半导体-超导体异质结构 [P].

D·I·皮库林 ;

G·C·加德纳 ;

R·L·卡拉赫 ;

G·W·温克勒 ;

S·V·格罗尼恩 ;

P·克罗格斯拉普·杰普森 ;

M·J·曼弗拉 ;

A·安提波夫 ;

R·M·卢钦 .

美国专利 :CN114375504B ,2025-11-04

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