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半导体-铁磁绝缘体-超导体混合器件

被引：0
申请号：
CN201980102748.3
申请日：
2019-12-05
公开(公告)号：
CN114747014A
公开(公告)日：
2022-07-12
发明(设计)人：
P·克罗格斯拉普·杰普森 S·瓦伊缇克纳斯 C·M·马库斯
申请人：
申请人地址：
美国华盛顿州
IPC主分类号：
H01L2718
IPC分类号：
G06N1020 H01L3922 H01L3924
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
董莘
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-29 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/18 申请日:20191205
2022-07-12 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体-铁磁绝缘体-超导体混合器件 [P]. 
P·克罗格斯拉普·杰普森 ;
S·瓦伊缇克纳斯 ;
C·M·马库斯 .
美国专利 :CN114747014B ,2024-10-29
[2]
半导体超导体混合器件 [P]. 
G·W·温克勒 ;
R·M·卢钦 ;
L·P·考恩霍文 ;
F·卡里米 .
中国专利 :CN114600262A ,2022-06-07
[3]
半导体超导体混合器件 [P]. 
G·W·温克勒 ;
R·M·卢钦 ;
L·P·考恩霍文 ;
F·卡里米 .
美国专利 :CN114600262B ,2025-02-21
[4]
半导体-超导体混合器件及其制造 [P]. 
G·C·加德纳 ;
A·C·C·德拉克曼 ;
C·M·马库斯 ;
M·J·曼弗拉 .
中国专利 :CN114788026A ,2022-07-22
[5]
侧栅半导体-超导体混合器件 [P]. 
M·金特罗·佩雷斯 ;
D·J·范沃尔科姆 ;
V·K·钦尼 ;
A·辛格 .
中国专利 :CN115428156A ,2022-12-02
[6]
包括电极阵列的半导体-超导体混合器件 [P]. 
C·M·马库斯 ;
A·S·普希尔 ;
A·达尼连科 .
美国专利 :CN117730641A ,2024-03-19
[7]
具有侧面结的半导体-超导体混合器件 [P]. 
G·W·温克勒 ;
J·K·甘布勒四世 ;
K·A·范胡格达伦 ;
F·卡里米 ;
R·M·鲁钦 ;
C·M·马库斯 ;
S·瓦伊缇克纳斯 ;
A·S·普希尔 ;
A·达尼连科 ;
D·萨博尼斯 ;
E·C·奥法雷尔 .
美国专利 :CN117859419A ,2024-04-09
[8]
半导体-超导体混合器件、其制造和用途 [P]. 
G·W·温克勒 ;
R·M·卢钦 ;
G·C·加德纳 ;
R·L·卡拉赫 ;
S·V·格罗尼恩 ;
M·J·曼弗拉 ;
F·卡里米 .
中国专利 :CN114600261A ,2022-06-07
[9]
用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构 [P]. 
G·C·加德纳 ;
R·L·卡拉赫尔 ;
S·V·格罗宁 ;
M·J·曼弗拉 .
中国专利 :CN114846633A ,2022-08-02
[10]
稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件 [P]. 
新美宪一 ;
A·O·阿丹 .
中国专利 :CN1154191C ,2000-12-06
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