超导体制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN90101312.9

申请日：

1990-03-13

公开(公告)号：

CN1045887A

公开(公告)日：

1990-10-03

发明(设计)人：

太刀川恭治真保幸雄小野守章小菅茂义桦泽真事

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01B1206

IPC分类号：

H01L3924

代理机构：

中国专利代理有限公司

代理人：

马铁良;肖掬昌

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1990-10-03	公开	公开
1992-04-01	实质审查请求已生效的专利申请	实质审查请求已生效的专利申请
1995-08-09	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
2005-10-19	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃

共 50 条

[1]

超导体-半导体制造 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 .

中国专利 :CN110741486A ,2020-01-31

[2]

超导体-半导体制造 [P].

P·克罗格斯拉普·杰普森 .

美国专利 :CN110741486B ,2024-02-23

[3]

超导体制件 [P].

太刀川治 ;

真保幸雄 ;

松田穰 ;

桦泽真事 ;

小管茂义 ;

渡辺之 .

中国专利 :CN1045483A ,1990-09-19

[4]

制造超导体的方法及用超导体制备的产品 [P].

阿迪德·布哈尔格瓦 ;

大卫·帕格∴山下通 ;

埃恩·多纳德·里查德·迈金诺恩 .

中国专利 :CN1089751A ,1994-07-20

[5]

制造超导体的方法 [P].

志贺章二 ;

宇野直树 ;

田中靖三 ;

菊地祐行 ;

城山魁助 .

中国专利 :CN1021163C ,1989-03-22

[6]

超导体和制造该超导体的方法 [P].

崔圭汉 ;

文胜铉 ;

黄淳哲 ;

李宰勋 ;

张彻荣 ;

权雄 .

中国专利 :CN105706187B ,2016-06-22

[7]

制造电超导体的方法 [P].

阿诺·阿莱斯 ;

德克·艾斯福特 .

中国专利 :CN101183573B ,2008-05-21

[8]

简·埃德加·埃维茨 ;

巴特洛米·安德泽·格罗瓦克基 .

中国专利 :CN1042023A ,1990-05-09

[9]

超导体的制造方法 [P].

塔依扬·皮昂 .

中国专利 :CN111183494A ,2020-05-19

[10]

超导体及其制造方法 [P].

母仓修司 ;

大松一也 .

中国专利 :CN100472670C ,2006-02-22

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