氧化镓的异质外延生长方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511310068.4
申请日
2025-09-15
公开(公告)号
CN120797195A
公开(公告)日
2025-10-17
发明(设计)人
黄小辉 林桂荣 刘润可 田吻
申请人
蓝河科技(绍兴)有限公司
申请人地址
311800 浙江省绍兴市诸暨市陶朱街道万旺路8号1号楼1楼
IPC主分类号
C30B25/16
IPC分类号
H01L21/02 C30B25/18 C30B29/16 C23C16/452
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
余明伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
氧化镓的异质外延生长方法 [P]. 
黄小辉 ;
林桂荣 ;
刘润可 ;
田吻 .
中国专利 :CN120797195B ,2025-12-02
[2]
氧化镓的外延生长方法 [P]. 
黄小辉 ;
林桂荣 ;
刘润可 ;
田吻 .
中国专利 :CN120797194B ,2025-12-02
[3]
氧化镓的外延生长方法 [P]. 
黄小辉 ;
林桂荣 ;
刘润可 ;
田吻 .
中国专利 :CN120797194A ,2025-10-17
[4]
氧化镓薄膜及其异质外延生长方法与应用 [P]. 
张晓东 ;
马永健 ;
李军帅 ;
张宝顺 .
中国专利 :CN112490112A ,2021-03-12
[5]
一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法 [P]. 
程再军 ;
罗杭 ;
郭榕榕 ;
郑荣升 ;
杨宇霖 .
中国专利 :CN118645423A ,2024-09-13
[6]
一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置 [P]. 
宁平凡 ;
李雄杰 ;
牛萍娟 ;
姜勇 .
中国专利 :CN117976521B ,2024-06-04
[7]
一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置 [P]. 
宁平凡 ;
李雄杰 ;
牛萍娟 ;
姜勇 .
中国专利 :CN117976521A ,2024-05-03
[8]
纳米线异质外延生长方法 [P]. 
任晓敏 ;
黄辉 ;
郭经纬 ;
叶显 ;
王琦 ;
蔡世伟 ;
黄永清 .
中国专利 :CN102040191A ,2011-05-04
[9]
异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P]. 
朱江鹏 ;
徐俞 ;
徐建喜 ;
王亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN120568935B ,2025-09-23
[10]
异质衬底外延生长方法、异质外延结构及其应用 [P]. 
朱江鹏 ;
徐俞 ;
徐建喜 ;
王亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN120568935A ,2025-08-29